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日本宣布向美光广岛DRAM内存工厂授予最多5360亿日元补贴

近日，日本经济产业省宣布向美光 Micron 位于广岛县东广岛市的 DRAM 内存工厂提供合计最多 5360 亿日元的补贴。美光计划斥资 1.5 万亿日元扩建广岛工厂以量产下一代 DRAM 内存，日本政府将为此提供 1/3 的补贴，对应 5000 亿日元；另外

韩媒 ETNews 当地时间昨日报道称，三星电子在 DRAM 内存领域率先导入干式光刻胶 (Dry PR) 技术，将应用于到即将正式推出的第 6 代 10 纳米级工艺 (1c nm) 中。